Szczegóły Produktu:
Zapłata:
|
| Nazwa produktu: | DS1T | obecny: | 1A |
|---|---|---|---|
| Napięcie: | 1600 V. | Pakiet: | SOD123FL |
| uszczelka: | Taśma w rolce | SPQ: | 5000szt |
| High Light: | fast recovery rectifier diode,smd rectifier diode |
||
Funkcja
* Niski wyciek zwrotny
* Wysoki prąd udarowy do przodu
*Wysoka niezawodność
* Gwarantowane lutowanie w wysokiej temperaturze: 260 ℃ / 10 sekund
* Ołów i ciało zgodne ze standardem RoHS
Dane mechaniczne
* Obudowa: SOD123FL Formowany plastik
* Epoksyd: trudnopalny UL 94V-0
* Ołów: czysto cynowany, bezołowiowy
MAKSYMALNE OCENY I CHARAKTERYSTYKA ELEKTRYCZNA
Oceny przy temperaturze otoczenia 25 ℃, chyba że określono inaczej.
| Parametr | Symbolika | DS1T | Jednostka | |
| Maksymalne powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne | VRRM | 1600 | V. | |
| Maksymalne napięcie RMS | VRMS | 1120 | V. | |
| Maksymalne napięcie blokujące DC | VDC | 1600 | V. | |
| Maksymalny średni prąd prostowany w przód | IF (AV) | 1.0 | ZA | |
|
Niepowtarzalny szczytowy prąd udarowy 8,3 ms pojedyncza fala sinusoidalna |
IFSM | 25 | ZA | |
|
@ JEŻELI = 1,0 A. Maksymalne napięcie przewodzenia |
VF | 1.3 | V. | |
|
@VDC Maksymalny prąd zwrotny |
TA = 25 ℃ | IR | 5 | μA |
| TA = 125 ℃ | 100 | |||
| Typowy opór cieplny (Uwaga 1) | RθJA | 85 | ℃ / W | |
|
VR = 4,0 V, f = 1 MHz Wpisz pojemność złącza |
Cj | 12 | pF | |
| Zadzwonił węzeł roboczy i temperatura przechowywania | Tj, TSTG | -55 --- +150 | ℃ | |
Uwaga:
1) Odporność termiczna od złącza do otoczenia, montowana na płytce drukowanej.
Rysunek:
Dlaczego właśnie my?
1. Fabryka posiadająca certyfikat ISO9001: 2008
2. 20 lat bogatego doświadczenia w produkcji diod
3. Ścisła kontrola jakości, osiągnięcie maksymalnej satysfakcji klienta
4. Roczna zdolność produkcyjna wynosi ponad 2 miliardy
Osoba kontaktowa: Bixia Wu
